| 反射电子显微技术研究分子束外延材料 |
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| 引用本文： | 周小川,都安彦,彭练茅,蒋健,牟善明,张开颜,钟战天.反射电子显微技术研究分子束外延材料[J].微纳电子技术,1991(6). |
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| 作者姓名： | 周小川 都安彦 彭练茅 蒋健 牟善明 张开颜 钟战天 |
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| 作者单位： | 中国科学院表面物理实验室，中国科学院北京电子显微镜实验室，中国科学院北京电子显微镜实验室，中国科学院表面物理实验室，中国科学院表面物理实验室，中国科学院表面物理实验室，中国科学院表面物理实验室 北京 100080 |
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| 摘 要： | 在分析型透射电子显微镜(TEM)上,利用反射电子显微术(REM)我们系统地研完了用分子束外延法生长的AlGaAs/GaAs异质多层材料及应变InGaAs/GaAs超晶格材料。在对AlGaAs/GaAs超晶格截面的观察中,REM的空间分辨率达到了20(?),并可分辨化学组分变化0.5％的AlGaAs/GaAs异质结界面。在对表面形貌的研究中,REM可观察到用Nomarski相衬显微镜都无法观察到的InGaAs/GaAs应变超晶格表面crosshatch条纹,显示其对表面不平整性的极高灵敏度。我们还发展了一种新方法,用以准确、直观地观察多层膜材料的腐蚀深度,从而控制器件制作过程中的腐蚀工艺。
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| 关 键 词： | 电子显微镜 分子束外延 超晶格 |
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