台阶电极晶体管(SET)

SET不需要精确的光刻工艺和金属化技术就可以获得良好的性能。在SET结构中使用砷掺杂多晶硅作为发射极电极部分。这种电极被作成倒置梯形。利用两层多晶硅之间腐蚀速度的不同来形成这种倒置梯形结构。离子注入后用化学腐蚀方法开出基板接触窗口。发射极扩散层和基极接触之间的间距为0.4微米或更小。 |S_(21)~(ei)|的截止频率约为8.4千兆赫,比相同发射极尺寸的通常的平面晶体管的截止频率高2千兆赫。集成的SET的上升时间为150微微秒。