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| MEMS兼容丝网印刷PZT压电厚膜研究 | |
| 引用本文： | 王蔚,刘晓为,莫冰,王娟.MEMS兼容丝网印刷PZT压电厚膜研究[J].微纳电子技术,2003(8). |
| 作者姓名： | 王蔚 刘晓为 莫冰 王娟 |
| 摘 要： | 对丝网印刷PZT压电厚膜制备工艺浆料配置、印刷技术、退火条件、上下电极的选择及极化方法等进行了研究,并采用扫描电子显微镜(SEM)及与之配套的能谱分析仪对制备的PZT样品的微观结构、成分进行了测试分析.结果表明,PZT压电厚膜的膜厚可达100μm,印制图形分辨率在500μm以上,在800℃经1h退火就可获得良好的微晶结构,且具有压电特性. |
| 关 键 词： | MEMS PZT 丝网印刷 压电厚膜 |
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