硅-硅直接键合后硅片的机械减薄过程北大核心 |
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引用本文: | 陈晨杨洪星何远东.硅-硅直接键合后硅片的机械减薄过程北大核心[J].微纳电子技术,2015(6):402-405. |
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作者姓名: | 陈晨杨洪星何远东 |
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作者单位: | 1.中国电子科技集团公司第四十六研究所300220; |
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摘 要: | 硅-硅直接键合硅片的机械减薄工艺对器件的性能有很大的影响。采用磨削、化学腐蚀和机械/化学抛光的方法对硅-硅直接键合硅片进行减薄加工,分析了减薄过程中各个工序键合片的平整度、弯曲度和翘曲度变化,并对减薄后硅片的厚度均匀性进行了考察。本次实验最终获得了几何参数良好、厚度满足要求且均匀的晶片。磨削过程会使弯曲度和翘曲度升高,可以通过化学腐蚀的方法降低弯曲度和翘曲度,化学腐蚀过程虽然使平整度升高,但可以通过机械/化学抛光的方法降低平整度。采用该减薄技术对直接键合硅片进行机械减薄具有可行性。
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关 键 词: | 硅-硅直接键合(SDB) 机械减薄 平整度 弯曲度 翘曲度 |
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