改善了辐射性能的1.5μm波长InGaAsP/InP双异质结发光二极管

研究了1.5μm波长InGaAsP/InP双异质结发光二极管的载流子限制层组分对辐射性能的影响。从精确的光谱测量发现用一般液相外延法生长的限制层会使有源层中电子越过异质势垒而漏入限制层。引进了一种生长InP限制层的新技术,使这一问题得到了解决。这一新技术采用了低温和厚熔液。从而辐射率提高了50％以上,在100mA下耦合入纤功率大于20μW(50μm芯径、0.2数值孔径、梯度光纤)。