| Ⅲ-Ⅴ族磁半导体材料的研究与进展 |
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| 引用本文： | 闫发旺,梁春广.Ⅲ-Ⅴ族磁半导体材料的研究与进展[J].微纳电子技术,2001,38(6):2-7. |
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| 作者姓名： | 闫发旺 梁春广 |
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| 作者单位： | 电子十三所,河北,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | Mn、Fe等过渡金属元素的 - 族稀磁半导体 ( DMS)材料和铁磁 /半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性 ,可望广泛应用于未来的磁 (自旋 )电子器件 ,从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。本文将对上述研究领域进行评述
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 铁磁/半导体异质结 自旋电子器件 |
| 文章编号： | 1001-5507(2001)06-0002-06 |
| 修稿时间： | 2001年8月14日 |
Research and development of |
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| YAN Fa wang,LIANG Chun guang.Research and development of[J].Micronanoelectronic Technology,2001,38(6):2-7. |
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| Authors: | YAN Fa wang LIANG Chun guang |
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| Abstract: | Ⅲ-Ⅴdiluted magnetic semiconductors(DMS)with transition ions such as magnetic Mn 2+ or Fe 2+ and epitaxial ferromagnet/semiconductor heterostructures are expected to realize novel magneto electronic(or spin electronic) devices due to their combined properties of both magnetic materials and semiconductors,accordingly which will bring a technological revolution in conventional electronic industry.Above research area is reviewed in this paper. |
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| Keywords: | diluted magnetic semiconductors expitaxial ferromagnet/semiconductor heterostructure spin electronic devices |
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