| Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀AlGaN的研究 |
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| 引用本文： | 陈亮,亢勇,朱龙源,赵德刚,李向阳,龚海梅.Cl2/Ar/BCl3ICP刻蚀AlGaN的研究[J].微纳电子技术,2007,44(7):7-9. |
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| 作者姓名： | 陈亮 亢勇 朱龙源 赵德刚 李向阳 龚海梅 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院,上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
2. 中国科学院,半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 感应耦合等离子体（ICP）刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用。在对比了ICP与RIE，ECR等干法刻蚀技术优缺点的基础上，采用Ni作为掩膜，Cl2/Ar/BCl3作为刻蚀气体，对金属有机化学气相淀积生长的n-Al0.45Ga0.55N进行了ICP刻蚀研究。刻蚀速率随着ICP直流偏压的增加而增加，刻蚀速率随着ICP功率的增加先增加较快后增加缓慢。最后结合刻蚀表面的扫描电镜（SEM）分析和俄歇电子能谱（AES）深度分析对刻蚀结果进行了讨论。分析表明，在满足刻蚀表面形貌的同时，较低的直流偏压下刻蚀速率较慢，但损伤较小，这对于制备高性能的紫外探测器是有利的。
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| 关 键 词： | 感应耦合等离子体 铝镓氮 扫描电镜 俄歇电子能谱 |
| 文章编号： | 1671-4776（2007）07/08-0007-03 |
| 修稿时间： | 2007-03-26 |
Study of ICP Etching of AIGaN with Cl2/Ar/BCl3 |
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| CHEN Lian,KANG Yong,ZHU Long-yuan,ZHAO De-gang,LI Xiang-yang,GONG Hai-mei.Study of ICP Etching of AIGaN with Cl2/Ar/BCl3[J].Micronanoelectronic Technology,2007,44(7):7-9. |
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| Authors: | CHEN Lian KANG Yong ZHU Long-yuan ZHAO De-gang LI Xiang-yang GONG Hai-mei |
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| Affiliation: | 1. State key Laboratories of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China; 2. Institute of Semiconductor, Chinese Academy of Sciences, Beij ing 100083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ICP AlGaN SEM AES |
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