不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触势垒不均匀及XRD分析北大核心 |
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引用本文: | 董升旭,白云,杨成樾,汤益丹,陈宏,田晓丽,刘新宇.不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触势垒不均匀及XRD分析北大核心[J].微纳电子技术,2018(9):625-629. |
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作者姓名: | 董升旭 白云 杨成樾 汤益丹 陈宏 田晓丽 刘新宇 |
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作者单位: | 1.中国科学院微电子研究所100029;2.中国科学院大学100049; |
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基金项目: | 国家重点研发计划资助项目(2016YFB0100601) |
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摘 要: | 为探究退火温度对Mo/4H-SiC肖特基接触势垒不均匀程度的影响,对在不同退火温度下形成的Mo/4H-SiC肖特基接触进行了不同测试温度下的电流-电压(I-V)及电容-电压(CV)测试,运用Tung理论模型和"T0反常"中的T0值评价势垒不均匀程度,X射线衍射(XRD)分析肖特基接触的物相组成。分析结果表明,测试温度升高时I-V测试提取的势垒高度接近于C-V测试提取的势垒高度,退火温度500℃及以上时Mo与4H-SiC发生反应,且导致较低的势垒高度。退火温度为600℃时,肖特基接触具有最低的势垒不均匀程度,且此退火温度下势垒高度相对500℃及700℃时较高,物相组成为Mo2C及Mo4.8Si3C0.6。
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关 键 词: | 4H-SiC 肖特基接触 X射线衍射(XRD) 势垒不均匀 退火温度 |
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