| 原子层沉积制备氮化钛薄膜及其表征北大核心 |
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| 引用本文： | 胡磊,石树正,孙雅薇,乔骁骏,何剑,穆继亮,丑修建.原子层沉积制备氮化钛薄膜及其表征北大核心[J].微纳电子技术,2018(6):428-432. |
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| 作者姓名： | 胡磊 石树正 孙雅薇 乔骁骏 何剑 穆继亮 丑修建 |
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| 作者单位： | 1.中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室030051;2.河北建筑工程学院机械工程学院075000;3.北方自动控制技术研究所030006; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51605449,61471326,51422510,51675493)；山西省应用基础研究资助项目(201601D021064) |
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| 摘 要： | 宽禁带半导体TiN作为扩散阻挡层以及场效应管的门电极在集成电路中发挥重要作用。通过原子层沉积（atomic layer deposition，ALD）技术沉积不同循环次数TiN薄膜，采用四探针测试仪、台阶仪、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）对薄膜进行了表征，确定了薄膜电阻率、生长速率、表面粗糙度与工艺条件的依赖关系。实验结果表明，ALD可实现膜厚精确控制、大面积均匀性优异、电阻率较小的薄膜制造，沉积薄膜的最小粗糙度为0．101nm，电阻率为5μΩ·cm，薄膜稳定生长速率为0．025nm／cycle。
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| 关 键 词： | TiN 原子层沉积(ALD) 电阻率 粗糙度 生长速率 |
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