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GaN基HFET电力电子器件的研究
引用本文:贾利芳,樊中朝,颜伟,杨富华.GaN基HFET电力电子器件的研究[J].微纳电子技术,2012(11).
作者姓名:贾利芳  樊中朝  颜伟  杨富华
作者单位:中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心;
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB934104)
摘    要:作为第三代宽禁带半导体器件,GaN基HFET功率器件具耐高压、高频、导通电阻小等优良特性,在电力电子器件方面也具有卓越的优势。概述了基于电力电子方面应用的AlGaN/GaN HFET功率器件的研究进展。从器件的结构入手,介绍了AlGaN/GaN HEMT的研究现状,从栅材料的选取以及栅介质层的结构对器件性能的影响着手,对AlGaN/GaN MIS-HFET的研究进行了详细的介绍。分析了场板改善器件击穿特性的原理以及各种场板结构AlGaN/GaNHFET器件的研究进展。论述了实现增强型器件不同的方法。阐述了GaN基HFET功率器件在材料、器件结构、稳定性、工艺等方面所面临的挑战。最后探讨了GaN基HFET功率器件未来的发展趋势。

关 键 词:GaN  异质结场效应晶体管(HFET)  功率器件  击穿电压  导通电阻
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