| PHEMT结构材料及器件 |
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| 引用本文： | 谢自力,邱凯,尹志军,方小华,陈建炉,王向武,陈堂胜,高建峰.PHEMT结构材料及器件[J].微纳电子技术,2002,39(2):15-17. |
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| 作者姓名： | 谢自力 邱凯 尹志军 方小华 陈建炉 王向武 陈堂胜 高建峰 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,江苏,南京,210016 |
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| 摘 要： | 概述了微波毫米波赝配结构高电子迁移率晶体管材料的结构特性,研究了该材料的分子束外延生长工艺,并且报道了用这种材料研制的赝配结构高电子迁移率晶体管的器件研制结果。
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| 关 键 词： | 微波毫米波 分子束外延 赝配结构高电子迁移率晶体管 异质结 二维电子气 |
| 文章编号： | 1671-4776(2002)02-0015-03 |
| 修稿时间： | 2001年7月10日 |
PHEMT material and device |
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| XIE Zi-li,QIU Kai,YIN Zhi-jun,FANG Xiao-hua,CHEN Jian-lu,WANG Xiang-wu,CHEN Tang-shen g,GAO Jian-feng.PHEMT material and device[J].Micronanoelectronic Technology,2002,39(2):15-17. |
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| Authors: | XIE Zi-li QIU Kai YIN Zhi-jun FANG Xiao-hua CHEN Jian-lu WANG Xiang-wu CHEN Tang-shen g GAO Jian-feng |
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| Abstract: | The structure characters of microwave and millimeter wave pseudomorphic structure high electron mobility transistor material are introduced.The MBE growth technology of this materi-al is investigated.The conclusions of the electronic device fabricated by this material are reported. |
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| Keywords: | microwave and millimeter wave MBE PHEMT heterostructure 2DEG |
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