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| 3D封装及其最新研究进展 | |
| 引用本文： | 邓丹,吴丰顺,周龙早,刘辉,安兵,吴懿平. 3D封装及其最新研究进展[J]. 微纳电子技术, 2010, 47(7). DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.07.010 |
| 作者姓名： | 邓丹 吴丰顺 周龙早 刘辉 安兵 吴懿平 |
| 作者单位： | 1. 华中科技大学,武汉光电国家实验室,武汉,430074 2. 华中科技大学,武汉光电国家实验室,武汉,430074;华中科技大学,材料成形及模具国家重点实验室,武汉,430074 3. 华中科技大学,材料成形及模具国家重点实验室,武汉,430074 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，材料成形及模具国家重点实验室资助项目 |
| 摘 要： | 介绍了3D封装的主要形式和分类。将实现3D互连的方法分为引线键合、倒装芯片、硅通孔、薄膜导线等,并对它们的优缺点进行了分析。围绕凸点技术、金属化、芯片减薄及清洁、散热及电路性能、嵌入式工艺、低温互连工艺等,重点阐述了3D互连工艺的最新研究成果。结合行业背景和国内外专家学者的研究,指出3D封装主要面临的是散热和工艺兼容性等问题,提出应尽快形成统一的行业标准和系统的评价检测体系,同时指出对穿透硅通孔(TSV)互连工艺的研究是未来研究工作的重点和热点。 |
| 关 键 词： | 3D封装 穿透硅通孔 金属化 散热 嵌入式工艺 |
3D Package and Its Latest Research |
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| Deng Dan,Wu Fengshun,Zhou Longzao,Liu Hui,An Bing,Wu Yiping. 3D Package and Its Latest Research[J]. Micronanoelectronic Technology, 2010, 47(7). DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.07.010 | |
| Authors: | Deng Dan Wu Fengshun Zhou Longzao Liu Hui An Bing Wu Yiping |
| Affiliation: | Deng Dan a,Wu Fengshun a,b,Zhou Longzao b,Liu Hui b,An Bing a,Wu Yiping a,b(a.Wuhan National Laboratory for Optoelectronics,b.State Key Laboratory of Materials Processing , Die & Mould Technology,Huazhong University of Science , Technology,Wuhan 430074,China) |
| Abstract: | The main forms and classification of 3D package are introduced. The methods of 3D interconnection can be classified into the wire bonding,flip chip,through silicon via(TSV) and film wire technology,whose advantages and disadvantages are analyzed. The latest researches of 3D interconnection technologies are illustrated,including the bumps technique,metallization,chip thinning and cleaning,heat dissipation and circuit performance,embedded technology and low-temperature interconnection. Heat dissipation and pr... |
| Keywords: | 3D package through silicon vias(TSV) metallization heat dissipation embedded technology |
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