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1~6GHz宽带低噪声放大器的研制
引用本文:李大平.1~6GHz宽带低噪声放大器的研制[J].微纳电子技术,1999(5).
作者姓名:李大平
作者单位:河北半导体研究所!石家庄050051
摘    要:该放大器采用负反馈的设计原理, 利用EESOF进行CAD设计, 选用噪声较小增益较高的日本FUJITU公司的GaAs晶体管(FHX14 型)。通过精心调试,解决了研制中两个难题, 即多级级联与稳定性和可靠性难题, 从而使该放大器达到满意的性能指标

关 键 词:噪声  增益  宽带

Development of 1~6GHz Broadband Low Noise Amplifier
Li Daping.Development of 1~6GHz Broadband Low Noise Amplifier[J].Micronanoelectronic Technology,1999(5).
Authors:Li Daping
Abstract:Based on negative feedback principle,through CAD optimization and carefully turning,by using a low noise,high gain MESFET(type FHX14)made by Fujitsu company Japan,this amplifier fits all the electronic characteristics required by our customers.Through resolving the problems of multistage cascading with stabilization and reliability,this amplifier achieves satisfactory performance.
Keywords:Noise  Gain  Broadband
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