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| 一种直接在GaAsMESFET上测定有源层载流子迁移率分布的方法 | |
| 引用本文： | 王云生,张友渝.一种直接在GaAsMESFET上测定有源层载流子迁移率分布的方法[J].微纳电子技术,1982(4). |
| 作者姓名： | 王云生 张友渝 |
| 摘 要： | 本文提出了一种可以直接在GaASMESFET上测定有源层迁移率分布的方法。这种测定迁移率分布的方法是基于半导体的磁阻效应。推导了测定迁移率的计算公式。给出了典型器件有源层迁移率分布的实验结果。并与Sites法的测量结果进行了比较。 |
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