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| MBE生长InGaAs／n0.32≤x≤0.52Al1—xAs MM—HEMT材料 | |
| 引用本文： | 邱凯,张晓娟,陈建炉.MBE生长InGaAs／n0.32≤x≤0.52Al1—xAs MM—HEMT材料[J].微纳电子技术,2003,40(6):26-28. |
| 作者姓名： | 邱凯 张晓娟 陈建炉 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所,江苏南京210016 |
| 摘 要： | 在GaAs衬底上利用分子来外延技术生长了不同In组分的Metamorphic HEMT(简称MM—HEMT)。通过对MM—HEMT材料中台阶式缓冲层材料种类、台阶宽度、初始组分以及生长温度等生长参数、生长条件和结构参数进行优化，得到了具有良好电学性能的MM—HEMT材料，其二维电子气迁移率和浓度指标与国外同期水平相当。 |
| 关 键 词： | 高电子迁移率晶体管 分子来外延 缓冲层 InGaAs 铟钙砷化合物 MM—HEMT材料 二维电子气迁移率 生长温度 |
| 文章编号： | 1671-4776(2003)06-0026-03 |
| 修稿时间： | 2002年12月3日 |
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