| 应用于DRAM的BST薄膜制备与性能研究 |
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| 引用本文： | 王小宁,刘建设,任天令,赵宏锦,邵天奇,刘理天.应用于DRAM的BST薄膜制备与性能研究[J].压电与声光,2002,24(6):459-462. |
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| 作者姓名： | 王小宁 刘建设 任天令 赵宏锦 邵天奇 刘理天 |
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| 作者单位： | 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(69806007)，"九七三"基金资助项目(G1999033105) |
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| 摘 要： | BaxSr1-xTiO3(BST)是动态随机存取存储器(DRAM)中常规电容介质SiO2的替代材料。用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si及Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了较高品质的BST薄膜。系统地研究了在不同退火条件下薄膜的结晶情况、微结构和电学性能。在室温100kHz下,薄膜的介电常数为230。在3V的偏压下,薄膜的漏电流密度为1.6×10-7A/cm2。利用HCl/HF刻蚀溶液成功获得了分辨率达到微米量级的BST薄膜微图形。
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| 关 键 词： | DRAM BST薄膜 制备 溶胶－凝胶法 刻蚀 动态随机存取存储器 复合钙钛矿 钛酸锶钡 |
| 文章编号： | 1004-2474(2002)06-0459-04 |
| 修稿时间： | 2001年11月12 |
The Fabrication and Properties of BST Thin Films for DRAM Application |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BaxSr1-xTiO3 |
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