| 干法刻蚀条件对Mo侧壁角度的影响 |
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| 引用本文： | 田本朗,徐阳,曹家强,杜波,马晋毅,米佳,冷俊林.干法刻蚀条件对Mo侧壁角度的影响[J].压电与声光,2016,38(2):199-202. |
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| 作者姓名： | 田本朗 徐阳 曹家强 杜波 马晋毅 米佳 冷俊林 |
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| 作者单位： | （中国电子科技集团公司第二十六研究所，重庆 400060） |
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| 摘 要： | 该文介绍了F基气体电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀系统对金属Mo薄膜侧壁角度的影响。通过调节ICP干法刻蚀设备的射频功率、ICP离子源功率、腔体气压、SF6及Ar的气体流量等工艺参数,实现了30.3°~51.6°的侧壁倾角,为薄膜体声波谐振器(FBAR)研制工艺提供了有益指导。
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| 关 键 词： | 干法刻蚀 气体电感耦合等离子体(ICP) Mo 薄膜体声波谐振器(FBAR) 侧壁角度 |
Influence of Dry Etching Conditions on Mo Sidewall Profile |
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| TIAN Benlang,XU Yang,CAO Jiaqiang,DU Bo,MA Jinyi,MI Jia and LENG Junlin.Influence of Dry Etching Conditions on Mo Sidewall Profile[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2016,38(2):199-202. |
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| Authors: | TIAN Benlang XU Yang CAO Jiaqiang DU Bo MA Jinyi MI Jia and LENG Junlin |
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| Affiliation: | (26th Institute of China Electronic Technology Group Corporation, Chongqing 400060, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | dry etching ICP Mo FBAR sidewall profile |
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