首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

掺钐钛酸铅铁电薄膜的制备和主要性质
引用本文:杨长红,王卓,韩辉,翟剑庞,王民,韩建儒.掺钐钛酸铅铁电薄膜的制备和主要性质[J].压电与声光,2005,27(1):59-61,64.
作者姓名:杨长红  王卓  韩辉  翟剑庞  王民  韩建儒
作者单位:山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100
摘    要:采用金属有机分解法(MOD)在P型Si(111)衬底上制备了Pb0.85Sm0.1TiO3(PST)薄膜。用X-射线衍射技术研究了退火温度对薄膜的结构和结晶性的影响。同时还研究了薄膜的介电、铁电和绝缘性能。结果发现在600°C下退火1h的PST薄膜呈钙钛矿结构;在0~16V范围内,薄膜的漏电流小于1.17×10-7A;在±10V的偏压范围内,电容-电压(C-V)记忆窗口宽度为4.5V;在室温10kHz下,其介电常数为37.25,介电损耗为0.042。

关 键 词:金属有机分解法  Pb0.85Sm0.1TiO3  铁电薄膜
文章编号:1004-2474(2005)01-0059-03

Pb0. 85Sm0. 1TiO3 Thin Films Prepared by A Metalorganic Decomposition Method
YANG Chang-hong,WANG Zhuo,HAN Hui,ZHAI Jian-pang,WANG Min,HAN Jian-ru.Pb0. 85Sm0. 1TiO3 Thin Films Prepared by A Metalorganic Decomposition Method[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2005,27(1):59-61,64.
Authors:YANG Chang-hong  WANG Zhuo  HAN Hui  ZHAI Jian-pang  WANG Min  HAN Jian-ru
Abstract:
Keywords:metalorganic decomposition  PST  ferroelectric thin films
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号