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Sm_2O_3掺杂的BaTiO_3陶瓷的PTCR效应
引用本文:齐建全,李龙土,朱青,桂治轮. Sm_2O_3掺杂的BaTiO_3陶瓷的PTCR效应[J]. 压电与声光, 2001, 0(3)
作者姓名:齐建全  李龙土  朱青  桂治轮
作者单位:清华大学材料系!北京100084
摘    要:施主浓度与 PTCR效应的关系 ,一方面受各种杂质乃至助烧剂影响而变得复杂化 ;另一方面也被很多作者所忽视。然而 ,这一关系可以在一定程度上映射出 PTCR效应的本质。海望曾指出 ,在 Ba Ti O3材料中 ,晶界上过剩施主的堆集 ,能够形成晶界层中高浓度的表面受主态 ,从而使材料 PTCR效应迅速提高。尽管海望的表面受主态模型被广为接受 ,然而 ,我们研究了 Sm2 O3掺杂的 Ba Ti O3陶瓷中掺杂浓度与 PTCR效应的关系 ,结果表明 :随着稀土掺杂量的提高 ,材料的升阻比降低。采用其他稀土元素 ,也得到相同的结果。因此 ,PTCR效应应当来源于在铁电相变点 ,晶界层中电子陷阱中性钡缺位被激活俘获自由电子 ;过剩施主的增加只能增加材料的室温电阻率 ,而不能提高 PTCR效应

关 键 词:Sm2O3  BaTiO3  PTCR

Positive Temperature Coefficient Resistivity Effect in Sm_2O_3-doped BaTiO_3 Semiconducting Ceramics
QI Jian quan,LI Long tu,ZHU Qing,GUI Zhi lun. Positive Temperature Coefficient Resistivity Effect in Sm_2O_3-doped BaTiO_3 Semiconducting Ceramics[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2001, 0(3)
Authors:QI Jian quan  LI Long tu  ZHU Qing  GUI Zhi lun
Abstract:
Keywords:Sm 2O 3  BaTiO 3  PTCR
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