| MnCO3掺杂对BMT陶瓷介电性能的影响 |
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| 引用本文： | 彭森,吴孟强,李艳江,毛宏,张树人. MnCO3掺杂对BMT陶瓷介电性能的影响[J]. 压电与声光, 2011, 33(2) |
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| 作者姓名： | 彭森 吴孟强 李艳江 毛宏 张树人 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都,610054 |
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| 摘 要： | 采用传统电子陶瓷工艺合成了MnCO3掺杂的Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)微波介质陶瓷,并研究了MnCO3掺杂量对陶瓷微波介电性能的影响.实验结果发现,添加少量的MnCO3能改善BMT陶瓷的烧结性能,当w(MnCO3)=2%时,陶瓷致密化烧结温度由纯相时的1 650℃以上降至1 350℃,且表观密度提高到7.482 g/cm3以上,烧结体密度可达理论密度的98%,材料的微波性能达到最佳值:介电常数εr=25.09,品质因数与频率之积Q·f=99 000 GHz(8 GHz),谐振频率温度系数τf=0.5×10-6/℃.
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| 关 键 词： | 介电性能 烧结 掺杂 Ba(Mg1/3Ta2/3)O3 |
Effect of MnCO3 Doping on the Microwave Dielectric Properties of BMT Microwave Ceramics |
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| PENG Sen,WU Mengqiang,LI Yanjiang,MAO Hong,HANG Shuren. Effect of MnCO3 Doping on the Microwave Dielectric Properties of BMT Microwave Ceramics[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2011, 33(2) |
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| Authors: | PENG Sen WU Mengqiang LI Yanjiang MAO Hong HANG Shuren |
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| Affiliation: | PENG Sen,WU Mengqiang,LI Yanjiang,MAO Hong,HANG Shuren (State Key Lab.of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | dielectric properties sintering doping Ba(Mg1/3Ta2/3)O3 |
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