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| 等离子体刻Al时的光终点检测法 | |
| 引用本文： | B.J.Curtis,龙自强.等离子体刻Al时的光终点检测法[J].压电与声光,1980(5). |
| 作者姓名： | B.J.Curtis 龙自强 |
| 作者单位： | 苏黎世美国无线电有限公司 |
| 摘 要： | 集成电路中用等离子体刻Al已经日益重要,为了满足VLSI工艺所需要的精确控制,要对刻蚀过程进行监控.使用含氯的刻蚀气体时,由于ALCI分子中电子跃迁的结果,可以观测到很强的波长为261.4毫微米的发射谱线,可以通过这种发射谱线的强度变化来监控剜蚀过程.本文介绍光谱仪和一种简单的固体检测器的应用,检测器是和干涉滤光器连在一起的,光的发射和反射技术都可用来检测等离子体刻Al的终点. |
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