| 流量及温度对低频PECVD氮化硅薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 黎威志,陶毅,亢喆,许华胜,余欢.流量及温度对低频PECVD氮化硅薄膜性能的影响[J].压电与声光,2010,32(4). |
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| 作者姓名： | 黎威志 陶毅 亢喆 许华胜 余欢 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054
2. 压电与声光技术研究所,重庆,400060 |
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| 基金项目： | 电子科技大学青年科技基金资助项目 |
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| 摘 要： | 研究了低频等离子增强化学气相沉积(LF-PECVD)工艺中气体流量比和衬底温度对氮化硅薄膜折射率、密度及应力的影响规律,同时测试了薄膜的红外光谱以分析不同条件对薄膜成分的影响.结果表明,低频氮化硅薄膜折射率主要受薄膜内硅氮元素比的影响,其次是薄膜密度的影响.前者主要由硅烷/氨气反应气体流量比决定,而后者主要由衬底温度决定;低频氮化硅薄膜应力大致与密度成正比关系.此外,PECVD工艺所制备氮化硅薄膜都含有相当数量的氢元素,而衬底温度是薄膜内氢含量的决定因素.
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| 关 键 词： | 氮化硅 低频等离子增强化学气相沉积(LF-PECVD) 密度 应力 红外光谱 |
Influences of Gas Flow Ratio and Substrate Temperature on the Characteristics of Silicon Nitride Films Prepared by Low-frequency PECVD Technology |
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| LI Weizhi,TAO Yi,KANG Zhe,XU Huasheng,YU Huan.Influences of Gas Flow Ratio and Substrate Temperature on the Characteristics of Silicon Nitride Films Prepared by Low-frequency PECVD Technology[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2010,32(4). |
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| Authors: | LI Weizhi TAO Yi KANG Zhe XU Huasheng YU Huan |
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