| PZT厚膜的制备及电性能研究 |
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| 引用本文： | 何超,陈文革.PZT厚膜的制备及电性能研究[J].压电与声光,2011,33(6). |
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| 作者姓名： | 何超 陈文革 |
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| 作者单位： | 西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安,710048 |
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| 摘 要： | 用溶胶-凝胶法制备出锆钛酸铅(PZT)粉体,与流延胶以一定配比混合后流延成型,坯膜于1 100℃高温烧结2h得到PZT厚膜.利用XRD和SEM研究其组织结构,同时测试其相关电性能.结果表明,以10 mL流延胶中加入120 g PZT粉的配比进行流延较合适；得到厚度约为200 μm的钙钛矿结构压电厚膜无裂纹、晶粒尺寸小且分布均匀,其压电常数d33为109 pC/N.在1 kHz测试频率下,其介电常数为179,介电损耗为0.4.
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| 关 键 词： | 锆钛酸铅(PZT) 压电效应 厚膜 电性能 |
Study on the Fabrication and Electrical Properties of PZT Thick Films |
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| HE Chao
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CHEN Wen' ge.Study on the Fabrication and Electrical Properties of PZT Thick Films[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2011,33(6). |
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| Authors: | HE Chao CHEN Wen' ge |
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| Affiliation: | HE Chao,CHEN Wen'ge (School of Materials Science and Engineering,Xi'an University of Technology,Xi'an 710048,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | lead zirconate titanate(PZT) piezoelectric effect thick film electrical properties |
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