| 银掺杂对低温烧结四元系陶瓷压电性能的影响 |
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| 引用本文： | 胡晓冰,李龙土,左如忠,桂治轮. 银掺杂对低温烧结四元系陶瓷压电性能的影响[J]. 压电与声光, 2003, 25(1): 33-35 |
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| 作者姓名： | 胡晓冰 李龙土 左如忠 桂治轮 |
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| 作者单位： | 清华大学,材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学重大基金资助项目(59995523) |
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| 摘 要： | 研究了微量银掺杂对多层压电陶瓷器件中使用的高性能低温烧结PMN－PNN－PZT（PMNNZT）基陶瓷压电性能的影响。结果表明：在烧结后没有产生明显的新相，少量银掺杂促进了陶瓷的烧结，增强了PMNNZT陶瓷的铁电性。对其压电性能的影响比较显著，具体表现为：微量的银掺杂增强了压电性能，但更多的银掺杂恶化了陶瓷的压电性能。该文解释为银掺杂影响了压电陶瓷材料的应变性能，从而进一步影响了压电性能。
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| 关 键 词： | 银掺杂 多层压电陶瓷器件 低温烧结 压电性能 |
| 文章编号： | 1004-2474(2003)01-0033-03 |
| 修稿时间： | 2001-12-29 |
Effect of Silver Doping on Piezoelectric Properties of PMN-PNN-PZT Based Ceramics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | multilayer ceramic device low-firing piezoelectric properties |
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