| BST薄膜的Sol-Gel法制备及其电学性能的研究 |
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| 引用本文： | 章天金,李东,徐超,黄卫华.BST薄膜的Sol-Gel法制备及其电学性能的研究[J].压电与声光,2002,24(2):145-148. |
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| 作者姓名： | 章天金 李东 徐超 黄卫华 |
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| 作者单位： | 湖北大学物理学与电子技术学院,武汉,430062 |
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| 摘 要： | 应用溶胶-凝胶（Sol-Gel)工艺制备了组分为r（Ba:Sr)=0.65:0.35的BST薄膜，研究了BST薄膜的显微结构、介电特性和漏电流特性，实验结果表明：BST薄膜经650℃热处理后，巳形成完整的立方钙钛矿结构，薄膜经900℃热处理后，其表面光滑、致密、无裂纹、无针孔，圆球形的小颗粒均匀分布。当偏置电压为0时，BST薄膜的介电常数和损耗因子分别为542和0.035。漏电流特性分析结果表明：采用RuO2作为底电极，在1.5V的偏压下BST薄膜的漏电流密度为0.52μA/Cm^2，该值比Pt/RuO2混合底电极上制备的BST薄膜的漏电流密度（72nA/cm^2)大1个数量级，因此，Pt/RuO2混合底电极既克服了RuO2底电极漏电流大的缺点，又解决了Pt底电极难以刻蚀的困难，是制备大规模动态随机存取存储器的电容器列阵的最低底电极材料。
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| 关 键 词： | Sol－Gel法 制备 电学性能 BST薄膜 |
| 文章编号： | 1004-2474(2002)02-0145-04 |
| 修稿时间： | 2001年5月13日 |
Studies on the Electrical Properties of BST Thin Films Prepared by Sol-Gel Method |
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| ZHANG Tian jin,LI Dong,XU Chao,HUANG Wei hua.Studies on the Electrical Properties of BST Thin Films Prepared by Sol-Gel Method[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2002,24(2):145-148. |
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| Authors: | ZHANG Tian jin LI Dong XU Chao HUANG Wei hua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BST thin films Sol Gel method electrical properties |
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