| 自顶向下贯穿腐蚀制备空腔型FBAR的方法 |
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| 引用本文： | 高杨,何移,周斌,何婉婧,李君儒.自顶向下贯穿腐蚀制备空腔型FBAR的方法[J].压电与声光,2014,36(5):679-684. |
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| 作者姓名： | 高杨 何移 周斌 何婉婧 李君儒 |
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| 作者单位： | (1. 中国工程物理研究院 电子工程研究所，四川 绵阳 621999；;2. 西南科技大学 信息工程学院，四川 绵阳 621010；;3. 重庆大学 新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室，重庆 400044) |
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| 基金项目： | 中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室基金资助项目(2012CJMZZ00009)；重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室访问学者基金资助项目(2013MS04)；中物院电子工程研究所科技创新基金资助项目(S20141203)；西南科技大学研究生创新基金资助项目(13YCJJ36、14YCX107、13YCX109和14YCX111) |
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| 摘 要： | 牺牲层释放是空腔型薄膜体声波谐振器(FBAR)工艺中形成空腔结构的关键步骤,牺牲层释放的效果直接决定了空腔型FBAR的谐振特性。根据空腔型FBAR中气隙的功能和结构特点,提出了自顶向下贯穿腐蚀牺牲层制备镂空空腔型FBAR的创新工艺方法。为验证该方法的可行性,采用MATLAB对牺牲层腐蚀的恒扩散系数(CDC)模型进行数值迭代,采用Silvaco软件对其腐蚀过程进行仿真,根据仿真结果提出释放窗口的优化设计;采用ANSYS软件对镂空FBAR的谐振特性进行有限元仿真分析,对比常规FBAR发现,镂空FBAR具有较好的谐振特性,且其阻抗零点、阻抗极点频率向高频段漂移,有效机电耦合系数和品质因数降低。
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| 关 键 词： | 薄膜体声波谐振器(FBAR) 空腔型 牺牲层腐蚀 释放窗口 谐振仿真 |
Top down Through via Wet Etching Method to Fabricate Cavity Type FBAR |
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| GAO Yang,HE Yi,ZHOU Bin,HE Wanjing and LI Junru.Top down Through via Wet Etching Method to Fabricate Cavity Type FBAR[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2014,36(5):679-684. |
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| Authors: | GAO Yang HE Yi ZHOU Bin HE Wanjing and LI Junru |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | film bulk acoustic resonator(FBAR) cavity type sacrifice layer etching release window resonance simulation |
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