| 掺磷硅薄膜的微结构及电特性研究 |
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| 引用本文： | 陈永生,郜小勇,杨仕娥,卢景霄,李维强.掺磷硅薄膜的微结构及电特性研究[J].压电与声光,2006,28(6):733-735. |
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| 作者姓名： | 陈永生 郜小勇 杨仕娥 卢景霄 李维强 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院,教育部材料物理重点实验室,河南,郑州,450052 |
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| 摘 要： | 采用喇曼散射谱、扫描电子显微镜(SEM)和X-射线衍射(XRD)对掺磷硅薄膜的微结构进行了分析,并对掺杂前后薄膜的暗电导进行了测试,结果表明:掺磷后导致薄膜的非晶化。与本征氢化微硅晶(μc-Si:H)薄膜相比,掺杂后薄膜暗电导率略有降低,但降低的程度与具体的沉积条件有关。另外掺杂薄膜易进行快速光热退火晶化。
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| 关 键 词： | 微晶硅 暗电导 晶化率 |
| 文章编号： | 1004-2474(2006)06-0733-03 |
| 收稿时间： | 2005-08-04 |
| 修稿时间： | 2005年8月4日 |
Microstructure and Electric Characteristics of Phosphorus-Doped Hydrogenated Silicon Films |
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| CHEN Yong-sheng,GAO Xiao-yong,YANG Shi-e,LU Jing-xiao,LI Wei-qiang.Microstructure and Electric Characteristics of Phosphorus-Doped Hydrogenated Silicon Films[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2006,28(6):733-735. |
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| Authors: | CHEN Yong-sheng GAO Xiao-yong YANG Shi-e LU Jing-xiao LI Wei-qiang |
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| Affiliation: | Key Lab. of Materials Physics of Ministry of Education, Zhengzhou University, Zhengzhou 450052,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | microcrystalline silicon dark conductivity crystalline volume fraction |
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