| 大气状态下AFM阳极氧化加工Si的研究 |
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| 引用本文： | 宋晓辉,李艳宁,匡登峰,刘庆纲,胡小唐.大气状态下AFM阳极氧化加工Si的研究[J].压电与声光,2006,28(2):209-211. |
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| 作者姓名： | 宋晓辉 李艳宁 匡登峰 刘庆纲 胡小唐 |
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| 作者单位： | 天津大学,精密仪器与光电子工程学院,精密测试计量技术及仪器国家重点实验室,天津,300072 |
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| 基金项目： | 教育部天津大学南开大学科技合作基金资助项目 |
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| 摘 要： | Si纳米氧化线是构筑基于Si的纳米器件的基础。通过AFM针尖诱导阳极氧化加工的n型Si(100)的实验得到凸出的n型Si(100)氧化物高度和偏置电压成线性关系,与针尖扫描速度成负对数关系,并在前人的基础上深化了AFM针尖诱导氧化加工的机理和理论模型,得到了合适的加工条件为偏压8 V和扫描速度1μm/s。
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| 关 键 词： | AFM阳极氧化 Si氧化线 偏置电压 扫描速度 |
| 文章编号： | 1004-2474(2006)02-0209-03 |
| 收稿时间： | 2004-09-17 |
| 修稿时间： | 2004年9月17日 |
Study of AFM Anodic Oxidation of Si in the Air |
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| SONG Xiao-hui,LI Yan-ning,KUANG Deng-feng,LIU Qing-gang,HU Xiao-tang.Study of AFM Anodic Oxidation of Si in the Air[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2006,28(2):209-211. |
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| Authors: | SONG Xiao-hui LI Yan-ning KUANG Deng-feng LIU Qing-gang HU Xiao-tang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AFM anodic oxidation Si oxidation lines biased voltage scanning speed |
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