| Nb掺杂对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 臧国忠,王矜奉,陈洪存,苏文斌,王文新,王春明,亓鹏.Nb掺杂对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响[J].压电与声光,2004,26(6):457-459. |
| |
| 作者姓名： | 臧国忠 王矜奉 陈洪存 苏文斌 王文新 王春明 亓鹏 |
| |
| 作者单位： | 山东大学,物理与微电子学院,济南,250100 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50072013) |
| |
| 摘 要： | 研究了Nb2O5对ZnO压敏材料电学性能的影响。当x(Nb2O5)从0增加到1％时，ZnO压敏电阻的击穿电压从209V／mm降至0．70V／mm，40Hz时，样品电阻从0．21MΩ降至48．3Ω，1kHz时的相对介电常数从831增大到42200。晶界势垒高度测量表明：在实验范围内，Nb对势垒高度的影响较小。ZnO晶粒的变大是压敏电压急剧降低和介电常数增大的主要原因。对Nb掺杂量的增加引起样品阻抗减小的根源进行了解释。
|
| 关 键 词： | ZnO 压敏材料 势垒 晶界 |
| 文章编号： | 1004-2474(2004)06-0457-03 |
| 修稿时间： | 2003年4月23日 |
Effect of Nb on the Electrical Properties of ZnO Based Varistors |
| |
| ZANG Guo-zhong,WANG Jin-feng,CHEN Hong-cun,SU Wen-bin,WANG Wen-xin,WANG Chun-ming,QI Peng.Effect of Nb on the Electrical Properties of ZnO Based Varistors[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2004,26(6):457-459. |
| |
| Authors: | ZANG Guo-zhong WANG Jin-feng CHEN Hong-cun SU Wen-bin WANG Wen-xin WANG Chun-ming QI Peng |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ZnO varistor material barrier grain boundary |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
