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| 利用ZnO缓冲层制备AIN薄膜 | |
| 引用本文： | 刘彦松,王连卫.利用ZnO缓冲层制备AIN薄膜[J].压电与声光,2000,22(5):322-325. |
| 作者姓名： | 刘彦松 王连卫 |
| 摘 要： | 采用脉冲激光淀积（ＰＬＤ）技术，利用ＺｎＯ作为缓冲层，在Ｓｉ（１００）衬底上生长出ＡＩＮ薄膜。Ｘ－射线衍射图谱表明，该ＡＩＮ薄膜具有ｃ轴取向特性。Ｘ－光电子能谱测试表明，要获得接近理想化学配比的ＡＩＮ薄膜，需要高真空演气氛或合适的Ｎ２气氛；同时还表明，ＡＩＮ薄膜表面容易形成保护性氧化层。剖面透射电子显微镜显微照相显示该ＡＩＮ／ＺｎＯ／Ｓｉ（１００）多层结构清晰可辨，层与层之间的界面非常平整。原子力 |
| 关 键 词： | 缓冲层 PLD 氧化锌 氮化铝薄膜 |
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