| FBAR用氮化铝压电薄膜研究 |
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| 引用本文： | 陈运祥,董加和,司美菊,李洪平,赵雪梅,张永川,于新晓,刘善群.FBAR用氮化铝压电薄膜研究[J].压电与声光,2015,37(6):934-936. |
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| 作者姓名： | 陈运祥 董加和 司美菊 李洪平 赵雪梅 张永川 于新晓 刘善群 |
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| 作者单位： | （中国电子科技集团公司第二十六研究所，重庆 400060） |
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| 基金项目： | 国家重点研究基金资助项目 |
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| 摘 要： | 介绍了FBAR用复合氮化铝(AlN)压电薄膜的制作方法。采用双S枪中频(40kHz)磁控反应性溅射铝靶制作出了AlN压电薄膜。采用双S枪直流(DC)磁控溅射钼(Mo)靶制作出了Mo电极薄膜。对AlN压电薄膜、Mo电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面择优取向优良。对?4″Si基AlN压电薄膜进行了膜厚测试,结果表明,其膜厚均匀性优于±0.5%。对?4″Si基AlN压电薄膜、Mo薄膜进行了应力测试,结果表明,其应力分别在-100~+100 MPa及-150~+220 MPa;对?4″Si基Mo/AlN/Mo/AlN复合压电薄膜应力进行了应力测试,结果表明,其应力低达-71.518 5 MPa。对?4″Si基AlN压电薄膜进行了化学成分分析,结果表明,其Al∶N原子比为51.8∶48.2。
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| 关 键 词： | 氮化铝压电薄膜 膜厚均匀性 薄膜应力 |
Study on Aluminum Nitride Films Used for FBAR Devices |
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| CHEN Yunxiang,DONG Jiahe,SI Meiju,LI Hongping,ZHAO Xuemei,ZHANG Yongchuan,YU Xinxiao and LIU Shanqun.Study on Aluminum Nitride Films Used for FBAR Devices[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2015,37(6):934-936. |
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| Authors: | CHEN Yunxiang DONG Jiahe SI Meiju LI Hongping ZHAO Xuemei ZHANG Yongchuan YU Xinxiao and LIU Shanqun |
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| Affiliation: | (26th Institute of China Electronic Technology Group Corporation,Chongqing 400060,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | piezoelectric AlN thin films uniformity of thin films thickness stress of thin films |
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