| S波段低插损FBAR陷波器的研制 |
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| 引用本文： | 蒋平英,蒋世义,何西良,陈金琳,彭霄,徐阳,刘娅.S波段低插损FBAR陷波器的研制[J].压电与声光,2021,43(2):157-160. |
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| 作者姓名： | 蒋平英 蒋世义 何西良 陈金琳 彭霄 徐阳 刘娅 |
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| 作者单位： | （中国电子科技集团公司第二十六研究所，重庆 400060） |
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| 摘 要： | 该文介绍了一种单端口、端口阻抗50 Ω的S波段薄膜体声波谐振器（FBAR）陷波器，其采用了梯形拓扑结构与外围匹配电路相结合的方式。对FBAR陷波器芯片的设计过程、工艺实现进行了说明。测试制备的FBAR陷波器,其陷波频段为2 399~2 412 MHz，陷波抑制达35 dBc；通带频率分别为1 800~2 300 MHz和2 500~2 800 MHz，通带插损仅1 dB；3 dBc开口宽度为69 MHz。FBAR陷波器芯片尺寸为1.2 mm×1.2 mm×0.35 mm。结果表明，陷波器实测与仿真结果两者相吻合。
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| 关 键 词： | 薄膜体声波谐振器(FBAR) 陷波器 芯片 梯形结构 低插损 |
Development of S Band FBAR Notch Filter with Low Insertion Loss |
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| JIANG Pingying,JIANG Shiyi,HE Xiliang,CHEN Jinlin,PENG Xiao,XU Yang,LIU Ya.Development of S Band FBAR Notch Filter with Low Insertion Loss[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2021,43(2):157-160. |
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| Authors: | JIANG Pingying JIANG Shiyi HE Xiliang CHEN Jinlin PENG Xiao XU Yang LIU Ya |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | film bulk acoustic resonator(FBAR) notch filter chip ladder type structure low insertion loss |
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