|
|||||
|
|
| 基片偏压对反应性RF溅射ZnO膜结构的影响 | |
| 引用本文： | 小林浩志,伊ケ崎泰宏,岛岡五朗,郭秀芬.基片偏压对反应性RF溅射ZnO膜结构的影响[J].压电与声光,1986(1). |
| 作者姓名： | 小林浩志 伊ケ崎泰宏 岛岡五朗 郭秀芬 |
| 作者单位： | 日·静冈大学电子工学研究所，日·静冈大学电子工学研究所，日·静冈大学电子工学研究所 |
| 摘 要： | 氧化锌(ZnO)属于纤维矿型结构,是一种兼备多种功能(半导性、压电性、光电特性、萤光性等)的物质。ZnO薄膜作为重要的电子材料而引入注目。为此,正在积极进行对ZnO薄膜晶体结构的研究。广泛采用的制膜方法是RF溅射法。本实验是采用金属锌靶的反应性RF溅射法沉积ZnO薄膜的,研究了反应性气体混合 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |