用磁控溅射技术制造的SiO_2/128°Y-X LiNbO_3结构的SAW性能

研究了SiO_2/128°Y-X LiNbO_3层状结构的声表面波(SAW)传播特性。用射频(RF)磁控溅射技术制造SiO_2薄膜。利用LiNbO_3晶片上的叉指换能器(IDT)激励和检测瑞利波。这样不仅得到了延迟温度系数(TCD)约为Oppm/℃的良好温度特性,而且其频率特性的寄生信号响应也很小。此外,它的衰减常数也很小,并且层状结构具有很高的机电耦合系数(k~2),约为0.08。通过分析叉指换能器产生的声波,理论上研究了层状结构的寄生信号响应,并发现寄生信号响应很小。