| 用于射频滤波器的LN单晶薄膜XBAR的性能研究 |
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| 引用本文： | 杜如帆,田亚会,张巧珍,李百川,李红浪.用于射频滤波器的LN单晶薄膜XBAR的性能研究[J].压电与声光,2022,44(5):678-681. |
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| 作者姓名： | 杜如帆 田亚会 张巧珍 李百川 李红浪 |
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| 作者单位： | 上海师范大学 信息与机电工程学院,上海 200234;中国科学院声学研究所,北京 100190;国家纳米科学中心,北京 100190 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年基金资助项目(11904233)；国家自然科学基金青年基金资助项目(12004413)；北京市科技新星计划资助项目(Z201100006820012) |
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| 摘 要： | 基于铌酸锂(LN)薄膜的横向激发体声波谐振器(XBAR)能够兼具大机电耦合系数(K2)和高谐振频率(f)特性，有望满足5G应用的频段要求。然而，常规LN薄膜单层XBAR结构的温度稳定性较差，频率温度系数(TCF)较低。该文提出一种具有SiO2温度补偿层的SiO2/LN双层结构XBAR，并建立了精确分析层状结构XBAR的有限元模型。理论分析表明，该双层结构XBAR上激励的主模式是一阶反对称(A1)兰姆波。通过合理优化结构参数配置，能够获得高谐振频率(f~4.75 GHz)和大机电耦合系数(K2~8%)，同时其温度稳定性也得到显著改善(TCF~-36.1×10-6/℃)，相较于单层XBAR结构提高了近70×10-6/℃，这为研制温补型高频、大带宽声学滤波器提供了理论基础。
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| 关 键 词： | 横向激发体声波谐振器 温度补偿 大机电耦合 高频 |
Study on Properties of LN Single Crystal Thin Film XBAR for RF Filters |
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| Du Rufan,Tian Yahui,Zhang Qiaozhen,Li Baichuan,Li Honglang.Study on Properties of LN Single Crystal Thin Film XBAR for RF Filters[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2022,44(5):678-681. |
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| Authors: | Du Rufan Tian Yahui Zhang Qiaozhen Li Baichuan Li Honglang |
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| Affiliation: | The College of Information, Mechanical and Electrical Engineering, Shanghai Normal University, Shanghai 200234 , China;Institute of Acoustics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190 , China; National Center for Nanoscience and Technology, Beijing 100190 , China |
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