| （Li,Nb）掺杂SnO2压敏材料的电学非线性研究 |
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| 引用本文： | 李长鹏,王矜奉,陈洪存,苏文斌,李明明.（Li,Nb）掺杂SnO2压敏材料的电学非线性研究[J].压电与声光,2001,23(5):362-365. |
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| 作者姓名： | 李长鹏 王矜奉 陈洪存 苏文斌 李明明 |
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| 作者单位： | 1. 山东大学物理系
2. 济南大学物理系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50072013) |
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| 摘 要： | 研究了掺锂对SnO2压敏电阻器性能的影响.研究发现Li+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度,且能大幅度改善材料的电学非线性性能.掺入x(Li2CO3)为1.0%的陶瓷样品具有最高的密度(P=6.77g/cm3)、最高的介电常数(ε=1851)、最低的视在势垒电场(EB=68.86V/mm)和最高的非线性常数(α=9.9).对比发现,Na+由于具有较大的离子粒半径,其掺杂改性性能相对较差.提出了SnO2@Li2CO3@Nb2O5晶界缺陷势垒模型.
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| 关 键 词： | 压敏材料 二氧化锡 电学性能 缺陷势垒模型 掺杂 压敏电阻器 |
| 文章编号： | 1004-2474(2001)05-0362-04 |
| 修稿时间： | 2000年11月1日 |
Investigation of SnO2-Li2O-Nb2O5
Varistor System |
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