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| Mn掺杂BST薄膜的制备与表征 | |
| 引用本文： | 鲍军波,任天令,刘建设,刘理天,李志坚,李兴教.Mn掺杂BST薄膜的制备与表征[J].压电与声光,2002,24(5):389-391,403. |
| 作者姓名： | 鲍军波 任天令 刘建设 刘理天 李志坚 李兴教 |
| 作者单位： | 1. 清华大学,微电子所,北京,100084；华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074 2. 清华大学,微电子所,北京,100084 3. 华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074 |
| 基金项目： | 国家“九七三”(G19990 3 3 10 5 )，清华大学“九八五”基金和“新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室开放课题”资助项目 |
| 摘 要： | 采用醋酸水溶液体系溶胶－凝胶法制备了未掺杂和掺Mn(II）钛酸锶钡（BST）薄膜。用这种方法。可在BST体系中容易地加入任何浓度的金属离子，并可在室温下长期保存，根据X－射线衍射图（XRD）和表面形貌，薄膜的晶化温度取为650－750℃，根据掺Mn BST的Mn2p3/2X－射线光电子能谱（XPS）图中Mn2p3/2的峰位置，显示出薄膜中Mn的价态与加入Mn(II)离子价态相同，根据结合能的峰移，可以得到掺Mn BST的费密能级降低0．7eV.I-V特性和介电特性测试表明，掺Mn(II)BST的漏电流明显降低，相对的介电常数增加，损耗角正切降低0．01，根据漏电性质，介电常数和损耗的关系，2％（摩尔分数）的Mn掺杂的BST薄膜适合于低频小信号（2V以下，约500kHz)应用，而高浓度的Mn掺杂适合于大信号较高频率（1MHz以上）应用。 |
| 关 键 词： | Mn掺杂 BST薄膜 溶胶－凝胶法 X－射线光电子能谱 I－V特征 介电性质 |
| 文章编号： | 1004-2474(2002)05-0389-03 |
Preparation and Characterization on the Mn-Doped BST Thin Film |
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| BAO Jun bo ,REN Tiian ling ,LIU Jian she ,LIU Li tian ,LI Zhi jian ,LI Xing jiao.Preparation and Characterization on the Mn-Doped BST Thin Film[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2002,24(5):389-391,403. | |
| Authors: | BAO Jun bo REN Tiian ling LIU Jian she LIU Li tian LI Zhi jian LI Xing jiao |
| Affiliation: | BAO Jun bo 1,2,REN Tiian ling 1,LIU Jian she 1,LIU Li tian 1,LI Zhi jian 1,LI Xing jiao 2 |
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| Keywords: | |
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