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| 在兰宝石上射频溅射ZnO单晶薄膜的结构及SAW特性 | |
| 引用本文： | T.Mitsuyu,S.Ono,K.Wasa,余承杰.在兰宝石上射频溅射ZnO单晶薄膜的结构及SAW特性[J].压电与声光,1981(1). |
| 作者姓名： | T.Mitsuyu S.Ono K.Wasa 余承杰 |
| 作者单位： | 松下电器产业公司，松下电器产业公司，松下电器产业公司 日，日，日 |
| 摘 要： | 用射频溅射法已在兰宝石的(O001)和(0112)面上外延生长了ZnO单晶薄膜.研究了这些薄膜的晶体结构和电特性.对兰宝石(0112)面上沿ZnO薄膜C轴传播的SAW测量了包括相速度,耦合系数,传播损耗及延迟温度系数等声表面波(SAW)特性.通过中心频率为1050兆赫的滤波器证明了这种结构对于高频SAW器件的可用性. |
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