低压变阻器的晶粒控制 |
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引用本文: | Hen.,DFK 余承杰.低压变阻器的晶粒控制[J].压电与声光,1991,13(6):73-77. |
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作者姓名: | Hen. DFK 余承杰 |
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摘 要: | 低压氧化锌(ZnO)变阻器因不均匀的晶粒生长与不均匀的微观结构,往往导致不一致的伏安特性。在陶瓷配料中加入籽晶是抑制个别大晶粒生长的一种有效方法,它能较易地控制细晶粒尺寸和电性能的一致性。籽晶通常是一种组成与原ZnO配比相同的单晶颗粒,而籽晶的晶粒尺寸要比原ZnO晶粒平均尺寸大。
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关 键 词: | 低压 变阻器 晶粒 控制 |
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