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Zr过渡层对Al膜微结构与性能的影响
引用本文:李冬梅,王旭波,潘峰,牛洁斌,刘明.Zr过渡层对Al膜微结构与性能的影响[J].压电与声光,2005,27(2):152-155,163.
作者姓名:李冬梅  王旭波  潘峰  牛洁斌  刘明
作者单位:1. 清华大学,材料系,先进材料教育部重点实验室,北京,100084;新疆大学,化学化工学院,新疆,乌鲁木齐,830046
2. 清华大学,材料系,先进材料教育部重点实验室,北京,100084
3. 中国科学院,徽电子研究所,北京,100029
基金项目:国家高技术"八六三"计划资助项目(2002AA325040)和教育部重大科技资助项目(0303)
摘    要:为了增加高频声表面波器件用Al薄膜的功率承受力以及与基体的附着力,同时不增加薄膜在化学反应刻蚀中的难度。并精确地控制图形的尺寸。采用电子束蒸镀法研究了Zr过渡层和薄膜固化工艺对Al膜微结构、形貌、电性能及机械性能的影响。结果表明。适当厚度(5-30nm)的Zr过渡层增强了Al膜的(111)织构,增加了薄膜与LiNbO3基体的结合力,200℃固化后电阻率明显降低.拥有Zr过渡层的Al膜具有良好的工艺性能,通过反应离子刻蚀易获得精确的换能器图形.

关 键 词:Al膜  Zr过渡层  附着力  电阻
文章编号:1004-2474(2005)02-0152-04

The Effects of Zr Underlayer on the Microstructure and Properties of Al Films
LI Dong-mei,WANG Xu-bo,PAN Feng,NIU Hao-bin,LIU Ming.The Effects of Zr Underlayer on the Microstructure and Properties of Al Films[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2005,27(2):152-155,163.
Authors:LI Dong-mei  WANG Xu-bo  PAN Feng  NIU Hao-bin  LIU Ming
Abstract:
Keywords:Al thin films  Zr underlayer  adhesion  resistivity
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