| 溶胶-凝胶法制备钡钕钛薄膜及其介电性能研究 |
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| 引用本文： | 朱伟欣,许绍俊,张瑶,杨成韬,杨翼晞,周冬.溶胶-凝胶法制备钡钕钛薄膜及其介电性能研究[J].压电与声光,2015,37(3):477-479. |
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| 作者姓名： | 朱伟欣 许绍俊 张瑶 杨成韬 杨翼晞 周冬 |
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| 作者单位： | （1.电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054;,2.川庆钻探工程有限公司地质勘探开发研究院，四川 成都 610054） |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项资金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用溶胶-凝胶法在Si(111)和Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Ba4Nd9.33Ti18O54(BNT)介质薄膜,采用X线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了不同退火温度对薄膜结构和表面形貌的影响。结果表明当薄膜在950℃下退火2h后具有较好结晶质量的钨青铜结构,所得到的薄膜表面较为疏松;通过掺入质量分数为2%B2O3-2SiO2,可进一步将BNT薄膜的晶化温度降至900℃,且结构致密。介电性能测试表明,1 MHz频率下BNST薄膜的介电常数为45,介电损耗为1.1%,30V偏压下漏电流密度为4.13×10-6 A/cm2。
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| 关 键 词： | 溶胶-凝胶(Sol-Gel)法 BNT薄膜 晶化温度 薄膜结构 介电性能 |
Preparation and Dielectric Properties of Ba4Nd9.33Ti18O54 Dielectric Thin Films Processed by Sol-Gel Technique |
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| ZHU Weixin,XU Shaojun,ZHANG Yao,YANG Chengtao,YANG Yixi and ZHOU Dong.Preparation and Dielectric Properties of Ba4Nd9.33Ti18O54 Dielectric Thin Films Processed by Sol-Gel Technique[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2015,37(3):477-479. |
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| Authors: | ZHU Weixin XU Shaojun ZHANG Yao YANG Chengtao YANG Yixi and ZHOU Dong |
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| Affiliation: | (1.State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China;,2.Geological Exploration & Development Research Institute of CNPC Chuanqing Drilling Engineering Company Limited, Chengdu 610054, China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Sol Gel technique BNT thin films crystallization temperature film structure dielectric properties |
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