| 基于InAs/GaAs量子点-石墨烯复合结构的肖特基光电探测器研究 |
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| 引用本文： | 甘桃,杜磊,刘昌龙,李梁,陈刚,徐鹤靓,陈平平,李志峰,陈永平.基于InAs/GaAs量子点-石墨烯复合结构的肖特基光电探测器研究[J].红外,2016,37(7):10-15. |
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| 作者姓名： | 甘桃 杜磊 刘昌龙 李梁 陈刚 徐鹤靓 陈平平 李志峰 陈永平 |
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| 作者单位： | 中科院上海技术物理研究所,中科院上海技术物理研究所,中科院上海技术物理研究所,中科院上海技术物理研究所,中科院上海技术物理研究所,中科院上海技术物理研究所,中科院上海技术物理研究所,中科院上海技术物理研究所,中科院上海技术物理研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61474130),中科院百人计划,国家重点基础研究发展计划(CSTC2009CA2003); (973计划)(2012CB619200)，中科院创新基金(CXJJ-14-S82) |
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| 摘 要： | 石墨烯具有电子迁移率高、透过率高(T≈97.7%)且费米能级可调的特性。砷化镓的电子迁移率比硅的大5到6倍。引入砷化铟量子点后，光电探测器具有低暗电流、高工作温度、高响应率和探测率的特点,因而可被用于制备响应快、量子效率高和光谱宽的光电探测器。对基于InAs/GaAs量子点-石墨烯复合结构的肖特基结的I-V特性和光电响应进行了研究。结果表明，在0 V偏压下，该器件在400 nm～950 nm均有响应，峰值响应率可达0.18 A/W；在反向偏压下，器件的峰值响应率可达到0.45 A/W。通过对暗电流随温度变化的特性进行分析，得到了InAs/GaAs量子点-石墨烯肖特基结在室温附近以及80 K附近的势垒高度。
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| 关 键 词： | 石墨烯 肖特基结 砷化镓 砷化铟 量子点 |
| 收稿时间： | 2016/4/13 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2016/4/19 0:00:00 |
Study of Schottky Photodetector Based on InAs/GaAs Quantum Dot-Graphene Hybrid Structure |
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| GAN Tao,DU Lei,LIU Chang-long,LI Liang,CHEN Gang,XU He-liang,CHEN Ping-ping,LI Zhi-feng and CHEN Yong-ping.Study of Schottky Photodetector Based on InAs/GaAs Quantum Dot-Graphene Hybrid Structure[J].Infrared,2016,37(7):10-15. |
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| Authors: | GAN Tao DU Lei LIU Chang-long LI Liang CHEN Gang XU He-liang CHEN Ping-ping LI Zhi-feng and CHEN Yong-ping |
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| Affiliation: | Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Science,Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Science,Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Science,Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Science,Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Science,Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Science,Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Science,Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Science,Shanghai Institute of Technical Physics of the Chinese Academy of Science |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | graphene Schottky junction GaAs InAs quantum dot |
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