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| AlGaN/GaN MSM紫外探测器特性 | |
| 引用本文： | 周劲,郝一龙,武国英,杨志坚,张国义.AlGaN/GaN MSM紫外探测器特性[J].红外,2005(6). |
| 作者姓名： | 周劲 郝一龙 武国英 杨志坚 张国义 |
| 摘 要： | 在蓝宝石衬底上,用金属有机物气相沉积(MOCVD)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品.溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快速退火,分别与样品形成欧姆接触和肖特基接触.随着退火时间的增加,金属-半导体金属(MSM)结构的I V特性曲线保持良好的对称性,但C V曲线逐渐失去其对称性.MSM探测器的紫外响应曲线具有良好的对比度和选择性,出现明显的光电导增益效应. |
| 关 键 词： | AlGaN/GaN MSM 肖特基 紫外响应曲线 |
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