| GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的低电阻欧姆接触工艺研究 |
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| 引用本文： | 谭振,李春领,孙海燕,张敏,王成刚.GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的低电阻欧姆接触工艺研究[J].红外,2020,41(5):13-18. |
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| 作者姓名： | 谭振 李春领 孙海燕 张敏 王成刚 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京100015;华北光电技术研究所,北京100015;华北光电技术研究所,北京100015;华北光电技术研究所,北京100015;华北光电技术研究所,北京100015 |
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| 摘 要： | 介绍了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(Quantum Well Infrared Photodetector, QWIP)的低电阻欧姆接触研究情况。结合热处理工艺，通过测试I-V特性对Ni/AuGe/Au金属体系的不同搭配进行了实验，确定了适合n+ GaAs/AlGaAs的电极体系，并对沉积金属后的热处理条件进行了初步研究。在400 ℃、氮气氛围、60 s的条件下，采用传输线模型计算后，在n+ GaAs（1×1018cm-3）上取得了比接触电阻为3.07×10-5Ω.cm2的实验结果。
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| 关 键 词： | GaAs/AlGaAs 量子阱红外探测器 热处理 欧姆接触 |
| 收稿时间： | 2020/3/10 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2020/3/31 0:00:00 |
Study on Low Resistance Ohmic Contact Technology of GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Detectors |
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| TAN Zhen,LI Chun-ling,SUN Hai-yan,ZHANG Min and WANG Cheng-gang.Study on Low Resistance Ohmic Contact Technology of GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Detectors[J].Infrared,2020,41(5):13-18. |
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| Authors: | TAN Zhen LI Chun-ling SUN Hai-yan ZHANG Min and WANG Cheng-gang |
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| Affiliation: | North China Research Institute of Optical Electronics,North China Research Institute of Optical Electronics,North China Research Institute of Optical Electronics,North China Research Institute of Optical Electronics,North China Research Institute of Optical Electronics |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs/AlGaAs QWIP thermal treatment ohmic contact |
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