| InAs/GaSb II类超晶格双色红外焦平面器件的干法刻蚀与湿法腐蚀制备对比研究 |
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| 引用本文： | 温涛,胡雨农,李景峰,赵成城,王国伟,刘铭.InAs/GaSb II类超晶格双色红外焦平面器件的干法刻蚀与湿法腐蚀制备对比研究[J].红外,2023,44(4):1-6. |
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| 作者姓名： | 温涛 胡雨农 李景峰 赵成城 王国伟 刘铭 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,华北光电技术研究所,华北光电技术研究所,华北光电技术研究所,中国科学院半导体研究所,华北光电技术研究所 |
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| 摘 要： | 分别采用干法刻蚀工艺路线和湿法腐蚀工艺路线制备了面阵规模为320×256、像元中心距为30 μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长/长波双色红外焦平面器件，并对其台面形貌、接触孔形貌、伏安特性以及互连读出电路并封入杜瓦后的中测性能进行了对比研究。总结了采用干法工艺和湿法工艺制备双色InAs/GaSb Ⅱ类超晶格焦平面器件的特点。该研究对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格焦平面器件的研制具有参考意义。
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| 关 键 词： | InAs/GaSb Ⅱ类超晶格 焦平面 双色 |
| 收稿时间： | 2022/10/31 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/11/14 0:00:00 |
Comparative Study on Dry/Wet Etching Preparation of InAs/GaSb Type-II Superlattice Dual-Color Infrared Focal Plane Devices |
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| WEN Tao,HU Yu-nong,LI Jing-feng,ZHAO Cheng-cheng,WANG Guo-Wei and LIU Ming.Comparative Study on Dry/Wet Etching Preparation of InAs/GaSb Type-II Superlattice Dual-Color Infrared Focal Plane Devices[J].Infrared,2023,44(4):1-6. |
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| Authors: | WEN Tao HU Yu-nong LI Jing-feng ZHAO Cheng-cheng WANG Guo-Wei and LIU Ming |
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