| 大面阵锑化铟探测器芯片背减薄工艺技术开发 |
| |
| 引用本文： | 李海燕,曹凌霞,陈籽先,黄婷,程雨.大面阵锑化铟探测器芯片背减薄工艺技术开发[J].红外,2023,44(2):8-12. |
| |
| 作者姓名： | 李海燕 曹凌霞 陈籽先 黄婷 程雨 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技集团有限公司第十一所,中国电子科技集团有限公司第十一所,中国电子科技集团有限公司第十一所,中国电子科技集团有限公司第十一所,中国电子科技集团有限公司第十一所 |
| |
| 摘 要： | 为实现大尺寸锑化铟混成芯片的高质量、高成品率背减薄，介绍了一种单点金刚石车削与磨抛相结合的背减薄工艺。该工艺采用单点金刚石车削技术实现锑化铟芯片大量厚度去除，然后通过旋转磨削工艺进一步去除车削损伤，最终实现了1280×1024元(25 μm)大尺寸锑化铟混成芯片背减薄(材料表面的半峰宽值约为8.20～11.90 arcsec)。与传统磨削工艺相比，该工艺对尺寸大、面型差的半导体芯片兼容性强，解决了大尺寸芯片在传统磨削工艺中因面型带来的裂片率高、减薄厚度不均匀的问题。
|
| 关 键 词： | 锑化铟 单点金刚石车削 背减薄 |
| 收稿时间： | 2022/9/25 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/10/21 0:00:00 |
Development of Back Thinning Technology for Large-Area Array InSb Detector Chip |
| |
| Li-haiyan,Cao-lingxi,Chen-zixian,Huang-ting and Cheng-yu.Development of Back Thinning Technology for Large-Area Array InSb Detector Chip[J].Infrared,2023,44(2):8-12. |
| |
| Authors: | Li-haiyan Cao-lingxi Chen-zixian Huang-ting and Cheng-yu |
| |
| Affiliation: | North China Research Institute of Electro-optics,North China Research Institute of Electro-optics,North China Research Institute of Electro-optics,North China Research Institute of Electro-optics,North China Research Institute of Electro-optics |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | InSb single-point diamond turning back-thinning |
|
| 点击此处可从《红外》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《红外》下载全文 |
|
