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| 大量生产HgCdTe所遇到的技术问题（上） | |
| 引用本文： | 顾聚兴.大量生产HgCdTe所遇到的技术问题（上）[J].红外,2002(12):27-33. |
| 作者姓名： | 顾聚兴 |
| 作者单位： | |
| 摘 要： | 1引言 第二代红外探测器现已成熟到可生产的水平.这些探测器主要基于HgCdTe技术.在法国红外探测器公司(SOFRADIR),达到大量生产水平的第二代探测器主要是288×4元长波红外探测器和480×6元长波红外探测器,前者主要用于欧洲的前视红外系统,后者则用于美国陆军的标准先进杜瓦装置(SAOA).在今后的几年中,320×256元的HgCdTe凝视列阵将达到大量生产的水平. |
| 关 键 词： | 红外探测器 碲镉汞三元化合物 大量生产 HgCdTe 技术问题 |
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