| GaAs基通孔刻蚀的崩边形成机理研究 |
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| 引用本文： | 黄光伟,马跃辉,李立中,林伟铭,吴淑芳,陈智广,林豪,庄永淳,吴靖.GaAs基通孔刻蚀的崩边形成机理研究[J].红外,2019,40(10):26-31. |
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| 作者姓名： | 黄光伟 马跃辉 李立中 林伟铭 吴淑芳 陈智广 林豪 庄永淳 吴靖 |
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| 作者单位： | 福建省福联集成电路有限公司,福建省福联集成电路有限公司,福建省福联集成电路有限公司,福建省福联集成电路有限公司,福建省福联集成电路有限公司,福建省福联集成电路有限公司,福建省福联集成电路有限公司,福建省福联集成电路有限公司,福建省福联集成电路有限公司 |
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| 摘 要： | 在砷化镓(GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device, IPD)的制作工艺中，通孔刻蚀是一道重要环节。蚀刻孔边缘的GaAs会被蚀刻，由此引发崩边并对器件性能及可靠性造成不利影响。本文中，用于通孔蚀刻的GaAs厚度不小于200 μm，通孔边缘没有被蚀刻的痕迹，以实现金属导线的平滑连接。采用光阻和金属来充当掩膜，有效解决了单一光阻因厚度过高而变形或者厚度薄导致GaAs衬底被蚀刻的问题。通过优化工艺，在光阻厚度为32 μm、金属掩膜厚度为0.5 μm、金属蚀刻时间为60 s以及感应耦合等离子体(Inductively Couple Plasma, ICP)蚀刻4000 s的条件下，得到了孔深为200 μm且通孔边缘平整的形貌。分析了 GaAs 崩边形成的主要原因与机理，并通过优化工艺解决了200 μm通孔的崩边问题，从而提高了器件性能及可靠性。
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| 关 键 词： | 集成无源器件 砷化镓 深背部通孔 崩边 |
| 收稿时间： | 2019/10/21 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2019/10/22 0:00:00 |
Study on Formation Mechanism of Chipping in GaAs-based Via-hole Etching |
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| Huang Guangwei,Ma Yuehui,LI Li-zhong,LIN Wei-min,Wu Shufang,Chen Zhiguang,Lin Hao,Zhuang Yongchun and Wu Jing.Study on Formation Mechanism of Chipping in GaAs-based Via-hole Etching[J].Infrared,2019,40(10):26-31. |
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| Authors: | Huang Guangwei Ma Yuehui LI Li-zhong LIN Wei-min Wu Shufang Chen Zhiguang Lin Hao Zhuang Yongchun and Wu Jing |
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| Affiliation: | UniCompound Integrated Circuit Co. LTD,UniCompound Integrated Circuit Co. LTD,UniCompound Integrated Circuit Co. LTD,UniCompound Integrated Circuit Co. LTD,UniCompound Integrated Circuit Co. LTD,UniCompound Integrated Circuit Co. LTD,UniCompound Integrated Circuit Co. LTD,UniCompound Integrated Circuit Co. LTD,UniCompound Integrated Circuit Co. LTD |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | lintegrated passive device GaAs deep backside vias chipping |
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