| CCD MPP结构制作工艺技术研究 |
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| 引用本文： | 雷仁方,杜文佳,李睿智,郑渝,翁雪涛,李金.CCD MPP结构制作工艺技术研究[J].半导体光电,2009,30(6):867-869. |
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| 作者姓名： | 雷仁方 杜文佳 李睿智 郑渝 翁雪涛 李金 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
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| 基金项目： | 中国电子科技集团公司CCD研发中心基础技术项目 |
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| 摘 要： | 在1024×1024可见光电荷耦合器件(CCD)的基础上增加了MPP(Multi-PinnedPhase)结构设计和工艺制作.制得的1024×1024可见光MPP CCD实现了MPP功能,有效抑制了CCD表面暗电流的产生.当MPP注入剂量为(6±2)×10~(11)cm~(-2)时,其暗电流密度下降了2/3,满阱电荷下降了1/2.Abstract：Multi-Pinned Phase (MPP) structure is designed and fabricated on the base of 1024×1024 visible light CCD. The 1024×1024 visible light MPP CCD achieves MPP function and suppresses the surface dark current effectively. Its dark current density and full well capacity decrease 2/3 and 1/2, respectively, when MPP implant dose is(6±2)×10~(11) cm~(-2).
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| 关 键 词： | CCD MPP 暗电流密度 满阱电荷 |
Process Study on CCD's MPP Structure |
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| LEI Ren-fang,DU Wen-jia,LI Rui-zhi,ZHENG Yu,WENG Xue-tao,LI Jin.Process Study on CCD's MPP Structure[J].Semiconductor Optoelectronics,2009,30(6):867-869. |
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| Authors: | LEI Ren-fang DU Wen-jia LI Rui-zhi ZHENG Yu WENG Xue-tao LI Jin |
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| Abstract: | Multi-Pinned Phase (MPP) structure is designed and fabricated on the base of 1024×1024 visible light CCD. The 1024×1024 visible light MPP CCD achieves MPP function and suppresses the surface dark current effectively. Its dark current density and full well capacity decrease 2/3 and 1/2, respectively, when MPP implant dose is(6±2)×10~(11) cm~(-2). |
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| Keywords: | CCD MPP |
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