| 两种钝化结构InGaAs红外探测器低频噪声的研究 |
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| 引用本文： | 吕衍秋,孟庆端,张向锋,张亮,孟超,龚海梅,孙维国.两种钝化结构InGaAs红外探测器低频噪声的研究[J].半导体光电,2009,30(3):339-342. |
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| 作者姓名： | 吕衍秋 孟庆端 张向锋 张亮 孟超 龚海梅 孙维国 |
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| 作者单位： | 中国空空导弹研究院,河南,洛阳,471009;中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083 |
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| 摘 要： | 低频噪声的测量和分析已成为红外探测器性能和可靠性评估的一种重要手段.制备了聚酰亚胺单层钝化和硫化后ZnS/聚酰亚胺双层钝化两种结构InGaAs探测器,测试了不同偏压或不同温度下器件的低频噪声谱,讨论了偏压和温度对InGaAs探测器低频噪声的影响.随着偏压的增加,噪声增大,拐点向低频方向移动,并且低频噪声随温度降低而减小.认为硫化后ZnS/聚酰亚胺双层钝化器件相对聚酰亚胺单层钝化器件相同偏压或温度下噪声较小,拐点低.因为硫化处理和ZnS层增强了钝化效果,器件的表面漏电流明显减小,因而大大降低了器件的低频噪声.
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| 关 键 词： | 红外探测器 InGaAs 低频噪声 钝化 |
Study on Low Frequency Noise of InGaAs Infrared Detectors with Two Passivation Structures |
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| LV Yan-qiu,MENG Qing-duan,ZHANG Xiang-feng,ZHANG Liang,MENG Chao,GONG Hai-mei,SUN Wei-guo.Study on Low Frequency Noise of InGaAs Infrared Detectors with Two Passivation Structures[J].Semiconductor Optoelectronics,2009,30(3):339-342. |
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| Authors: | LV Yan-qiu MENG Qing-duan ZHANG Xiang-feng ZHANG Liang MENG Chao GONG Hai-mei SUN Wei-guo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaAs |
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